Nanovlákny k nanotranzistorům

Martin Tůma  |  
nanowires

Pokud nechtějí výrobci elektroniky v brzké budoucnosti porušit Moorův zákon, který praví, že počet tranzistorů na jednom čipu se zdvojnásobí přibližně každých 18 měsíců (i když to není právně platný nebo fyzikální zákon, je otázkou prestiže jej dodržovat), budou potřebovat nové konstrukční postupy. Ty stávající už narážejí na fyzikální limity především v oblasti nejmenších rozměrů tranzistorů.

Naprosto novým konstrukčním postupem může být výroba polem řízeného tranzistoru (FET) na principu galium-arsenového nanovlákna, jak ukázali profesor Xiuling Li se svým asistentem Sethem Fortunou z university v Illinois. Podařilo se jim naprosto revoluční metodou vypěstovat na zlaté destičce z organokovových par rovnoběžně orientované nanovlákna z GaAs. Na rozdíl od dříve používaných litografických metod je nový postup jednodušší, rychlejší a navíc získaná vlákna neobsahují chyby v krystalické struktuře, protože proces růstu umožňuje velmi dobře a přesně kontrolovat jak orientaci vláken, tak jejich strukturu.

Z těchto vláken jsou potom schopni zkonstruovat FET tranzistor, kde vodivým kanálem je vlákno o průměru 5nm a tento tranzistor je menší a rychlejší než jeho klasický polovodičový bratříček. Navíc díky použitému postupu je výsledný produkt kompatibilní se současnou technologií. I když pro uvedení do praxe je ještě daleko, daná technologie se jeví jako velice slibná a jistě o ní v budoucnosti ještě uslyšíme.

Nejčtenější